Лаборатории НК
Газовый анализ
Твердометрия
Тепловой метод
Вихретоковый метод
Магнитный метод
Визуально-оптический метод
Машины для испытания на трение и износ
Машины для испытания на трение и износ - нашли свое основное применение в нефтехимической промышленности в лабораториях предприятий производящих смазочные материалы, масла для гидравлических систем и т.д. Испытательные машины можно встретить в научно-исследовательских центрах занимающихся исследованиями в области трибологии.
Маятниковые копры для испытания металлов и пластика – надёжные и точные устройства, которые используют, чтобы проводить испытание на ударную вязкость материалов в лабораторных условиях. Приборы помогают определить степень ударопрочности образцов деталей и конструкций для оценки устойчивости к повреждениям механического типа.
Маятниковые копры для испытания металлов и пластика
Машины для испытания пружин на кручение
Данные машины производятся для выполнения испытаний пружин на горизонтальное скручивание, а также торсионных пружин на скручивание. Определяется угол скручивания и крутящего момента торсионных и спиральных пружин и их различных упругих компонентов.
Испытательные прессы
Испытательные прессы, используемые для разрушающего контроля, применяются для испытания материалов на прочность, сжатие, изгиб и другие характеристики, при этом образец разрушается в процессе испытания. Эти прессы широко используются в строительстве, металлургии, машиностроении и других отраслях для оценки качества материалов и конструкций
Разрывные машины - это испытательное оборудование, которое используется для разрушающего контроля материалов, в частности, для определения их механических свойств, таких как прочность, растяжение, сжатие и изгиб. Эти машины применяются в различных отраслях, включая машиностроение, металлургию, научные исследования и контроль качества
Разрывные машины
Обучение
Обучение персонала - это систематический процесс развития знаний, навыков и умений сотрудников для повышения их эффективности и соответствия требованиям организации. Это включает в себя различные мероприятия, направленные на улучшение профессиональных и управленческих компетенций, а также на адаптацию к новым задачам и технологиям
Ремонт оборудования
Ремонт оборудования - это комплекс мероприятий, направленных на восстановление работоспособности или исправления дефектов оборудования, будь то механическое, электрическое, электронное или другое. Включает в себя диагностику, устранение неисправностей, замену изношенных или поврежденных деталей, а также настройку и регулировку
Аттестация лабораторий НК
Аттестация лабораторий неразрушающего контроля (НК) – это процедура подтверждения соответствия лаборатории требованиям промышленной безопасности, установленным нормативными документами, для проведения работ по неразрушающему контролю
Аттестация персонала – это процесс оценки квалификации, знаний и навыков сотрудников с целью определения их соответствия занимаемой должности и выявления потенциала для развития. Это формализованная процедура, проводимая работодателем для принятия кадровых решений, таких как повышение, перевод, обучение или увольнение
Аттестация персонала
// Описание улсуги
Поверка/калибровка средств измерений
Изоляционные материалы
Аксессуары для нагревательных установок и для приборов управления термообработкой
Приборы для регистрации и измерения температуры, автоматические регуляторы
Нагревательные элементы и запасные части к ним
Передвижные комплексы для термической обработки
Передвижные комплексы для термической обработки – это мобильные установки, предназначенные для проведения термической обработки материалов (в основном металлов) в полевых условиях, то есть вне стационарных производственных помещений
Печи
Инфракрасные аппараты
Инфракрасные аппараты для термообработки – это устройства, использующие инфракрасное излучение для нагрева материалов и изделий, обеспечивая быстрый и эффективный нагрев. Они находят применение в различных отраслях, включая производство, пищевую промышленность и медицину
Аппараты для приварки термопар
Инверторные нагревательные
установки
установки
Инверторные нагревательные установки - предназначены, в первую очередь, для работы на объектах, где сложно применить тяжелые крупногабаритные установки для термообработки.
Нагревательные установки для термообработки - это оборудование, предназначенное для нагрева металла или других материалов до высоких температур с целью изменения их структуры и свойств
Нагревательные установки
Контакты
Демо описание
Детекторы Varex Imaging для промышленного применения
Плоскопанельный детектор XRpad2 4343
Плоскопанельный детектор XRpad2 4336
Плоскопанельный детектор XRpad2 3025
Плоскопанельный детектор XRpad 4343 F
Плоскопанельный детектор XRD 4343 CT
Плоскопанельный детектор XRD 3025
Плоскопанельный детектор XRD 1642 AP
Плоскопанельный детектор XRD 1622 AO/ AP
Плоскопанельный детектор XRD 1621 xN ES
Плоскопанельный детектор XRD 1620 xN CS
Плоскопанельный детектор XRD 1611 xP
Плоскопанельный детектор XRD 0822 xO/xP
Плоскопанельный детектор 4343DX-I
Плоскопанельный детектор 3030DX-I
Плоскопанельный детектор 3030DX-I
Отверстия с резьбой на обратной стороне
от 15 °C до 53 °C
Оптоволоконная пластина из
углеродных волокон и алюминий
углеродных волокон и алюминий
Алюминий
9.1 кг
100-240 В, 47-63 Гц
Пассивное
16 бит
Gigabit Ethernet
Параллельный
Большая площадь (120 мм): < 1%
Маленькая площадь (10 мм): < 7%
Маленькая площадь (10 мм): < 7%
68%
40-225 кВ (пиковое напряжение)
3.5 наногрей/кадр
2,58 пар линий/мм – 15 к/с (1х1),
1,29 пар линий/мм – 30 к/с (2х2)
1,29 пар линий/мм – 30 к/с (2х2)
194 мкм
1536 x 1536 (1x1) – общее
1516 x 1516 (1x1) – эффективное
1516 x 1516 (1x1) – эффективное
298 х 298 мм
DRZ+, осажденный CsI:Tl
Аморфный кремний
Размер предельной дозы поглощения
Крепление
Рабочая температура
Материал защиты детектора
Материал корпуса
Вес
Питание
Охлаждение
Аналого-цифровой преобразователь
Интерфейс передачи данных
Метод развертки
Контраст
Коэффициент заполнения
Рабочий диапазон энергий
рентгеновского излучения
рентгеновского излучения
Предельное разрешение
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Размер активной области
Преобразующий экран (сцинтиллятор)
Тип материала
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор 4343DX-I
40-320 кВ (пиковое напряжение)
8 наногрей/кадр
Отверстия с резьбой на обратной стороне
от 15 °C до 58 °C
Оптоволоконная пластина из углеродных волокон и алюминий
Алюминий
19,2 кг
100-240 В, 50-60 Гц
3072 x 3072 (1x1), 4 к/c
1536 x 1536 (2x2), 15 к/c
1024 х 1024 (3х3), 25 к/c
1024 x 1024 (3x3), центральный зум 15 к/с
1536 x 1536 (2x2), 15 к/c
1024 х 1024 (3х3), 25 к/c
1024 x 1024 (3x3), центральный зум 15 к/с
50-60 Гц, 100-240 В
18 Вт, 25 Вт (макс.)
> 10 килогрей (1 МРад)
16 бит
Gigabit Ethernet
Progressive
< 3% при 1-ом кадре
60%
550
152 мкм
3,6 пар линий/мм – 4 к/с (1х1)
139 мкм
3072 x 3072 (1x1) – общее
3052 x 3052 (1x1) – эффективное
3052 x 3052 (1x1) – эффективное
427 х 427 мм
DRZ Standard, осажденный CsI:Tl
Аморфный кремний
Пространственное разрешение (по стандарту DRZ)
Крепление
Рабочая температура
Материал защиты детектора
Материал корпуса
Вес
Питание
Режим регистрации изображений
(нормальный Fluoro)
(нормальный Fluoro)
Питание
Рассеиваемая мощность
Радиационная стойкость
Аналого-цифровой преобразователь
Интерфейс передачи данных
Сканирование
Лаг
Коэффициент заполнения
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Размер предельной дозы поглощения (2х2)
Эффективность (DRZ стандарт, алюминий, отношение сигнал/шум при 1 миллигрей)
Предельное разрешение
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Размер активной области
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Тип материала
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 0822 xO/xP
50-60 Гц, 100-240 В
25 Вт
от + 10 °C до + 40 °C
20 кВ – 15 МВ
> 78 дБ (AO), > 88 дБ (AP)
67% (1 цикл/мм), 33% (2 цикл/мм), экран CsI
75% (0 цикл/мм), 58% (1 цикл/мм), 37% (2 цикл/мм) для RQA5, экран CsI
Gigabit Ethernet Vision
Интегрированная, с защитными кассетами для
задач регистрации высоких энергий (под заказ)
задач регистрации высоких энергий (под заказ)
Алюминий
3,7 кг
1024 х 512, размер пикселя 200 х 200 мкм, 50 к/с (AP)
1024 х 256, размер пикселя 200 х 200 мкм, 100 к/с (AP)
1024 х 256, размер пикселя 200 х 200 мкм, 100 к/с (AP)
1024 х 512, размер пикселя 200 х 400 мкм, 50 к/с (AP)
1024 х 256, размер пикселя 200 х 800 мкм, 100 к/с (AP)
1024 х 256, размер пикселя 200 х 800 мкм, 100 к/с (AP)
1024 х 1024, размер пикселя 200 х 200 мкм, 15 к/с (AO), 25 к/с (AP)
512 x 512, размер пикселя 400 х 400 мкм, 30 к/с (AO), 50 к/с
512 x 512, размер пикселя 400 х 400 мкм, 30 к/с (AO), 50 к/с
14 бит (AO), 16 бит (AP)
8 х 128 настраиваемых каналов ASIC с низким шумом с 2 (AO) и 6 (AP) режимами
200 мкм
1024 х 1024
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Частотно-контрастная характеристика MTF, X‑Ray
Квантовая эффективность регистрации DQE
Интерфейсы передачи данных
Материал защиты детектора
Материал корпуса
< 8% (первый кадр)
Лаг
Вес
Режим регистрации (прямоугольная площадь)
Режим регистрации (прямоугольная площадь)
Режим регистрации (квадратная площадь)
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 1611 xP
50-60 Гц, 100-240 В
90 Вт
от + 10 °C до + 35 °C
20 кВ – 1540 кВ – 15 МВ (XRD 1611 AP)
20 кВ – 15 МВ (XRD 1611 CP) МВ
20 кВ – 15 МВ (XRD 1611 CP) МВ
> 84 дБ
Оптическое волокно
Алюминий (1611 AP) или оптоволоконная
пластина из углеродных волокон (1611 CP)
пластина из углеродных волокон (1611 CP)
Алюминий
25 кг
4096 х 4096, размер пикселя 100 х 100 мкм, 3.75 к/с
2048 х 2048, размер пикселя 200 х 200 мкм, 7.5 к/с
1024 x 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 15 к/с
2048 х 2048, размер пикселя 200 х 200 мкм, 7.5 к/с
1024 x 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 15 к/с
16 бит
Низкошумные ASIC каналы с 6
настраиваемыми режимами усиления
настраиваемыми режимами усиления
100 мкм
4096 х 4096
409,6 х 409,6 мм
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Интерфейсы передачи данных
Материал защиты детектора
Материал корпуса
< 8% (первый кадр)
Лаг
Вес
Режим регистрации
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Размер активной области
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 1620 xN CS
50-60 Гц, 100-240 В
50 Вт
от + 10 °C до + 35 °C
40 кВ – 15 МВ (XRD 1620 AN CS)
20 кВ – 15 МВ (XRD 1620 CN CS)
20 кВ – 15 МВ (XRD 1620 CN CS)
> 84 дБ
Настраиваемый параллельный интерфейс
Алюминий (XRD 1620 AN CS) или оптоволоконная
пластина из углеродных волокон (XRD 1620 CN CS)
пластина из углеродных волокон (XRD 1620 CN CS)
Алюминий
21 кг
2048 х 2048, размер пикселя 200 х 200 мкм, 3.75 к/с
1024 x 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 7.5 к/с
1024 x 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 7.5 к/с
16 бит
Низкошумные ASIC каналы настраиваемыми режимами усиления
200 мкм
2048 х 2048
409,6 х 409,6 мм
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Интерфейсы передачи данных
Материал защиты детектора
Материал корпуса
< 8% (первый кадр)
Лаг
Вес
Режим регистрации
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Размер активной области
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 1621 xN ES
50-60 Гц, 100-240 В
80 Вт
от + 10 °C до + 35 °C
40 кВ – 15 МВ (XRD 1621 AN ES)
20 кВ – 15 МВ (XRD 1621 CN ES)
20 кВ – 15 МВ (XRD 1621 CN ES)
> 88 дБ
Настраиваемый параллельный интерфейс
Алюминий (1621 AN) или оптоволоконная
пластина из углеродных волокон (1621 CN)
пластина из углеродных волокон (1621 CN)
Алюминий
25 кг
2048 х 2048, размер пикселя 200 х 200 мкм, 15 к/с
1024 x 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 30 к/с
1024 x 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 30 к/с
16 бит
Низкошумные ASIC каналы с 6
настраиваемыми режимами усиления
настраиваемыми режимами усиления
200 мкм
2048 х 2048
409,6 х 409,6 мм
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Интерфейсы передачи данных
Материал защиты детектора
Материал корпуса
< 8% (первый кадр)
Лаг
Вес
Режим регистрации
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Размер активной области
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 1622 AO/ AP
50-60 Гц, 100-240 В
32 Вт
от + 10 °C до + 40 °C
20 кВ – 15 МВ
> 74 дБ (AO), > 88 (AP)
63% (1 цикл/мм), 31% (2 цикл/мм), экран CsI
67% (0 цикл/мм), 53% (1 цикл/мм),
36% (2 цикл/мм) для RQA5, экран CsI
36% (2 цикл/мм) для RQA5, экран CsI
Gigabit Ethernet
Интегрированная, с защитными кассетами для
задач регистрации высоких энергий (под заказ)
задач регистрации высоких энергий (под заказ)
Алюминий
8,8 кг
2048 х 1024, размер пикселя 200 х 400 мкм, 2 к/с (AP)
2048 х 2048, размер пикселя 200 х 200 мкм, 1 к/с (AO), 1 к/с (AP)
1024 х 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 4 к/с (AP)
1024 х 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 4 к/с (AP)
14 бит (AO), 16 бит (AP)
16 х 128 настраиваемых каналов ASIC
с низким шумом с 2 (AO) и 6 (AP) режимами
с низким шумом с 2 (AO) и 6 (AP) режимами
200 мкм
2048 х 2048
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Частотно-контрастная характеристика MTF, X‑Ray
Квантовая эффективность регистрации DQE
Интерфейсы передачи данных
Защита детектора
Материал корпуса
< 6% (первый кадр)
Лаг
Вес
Режим регистрации
(секционный)
(секционный)
Режим регистрации
(квадратная площадь)
(квадратная площадь)
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 1642 AP
50-60 Гц, 100-240 В
24 Вт
от + 10 °C до + 40 °C
20 кВ – 15 МВ
> 87 дБ
63% (0,5 цикл/мм), 31% (1 цикл/мм), экран CsI
67% (0 цикл/мм), 53% (1 цикл/мм), 36% (2 цикл/мм) для RQA5, экран CsI
Gigabit Ethernet
Интегрированная, с защитными кассетами для
задач регистрации высоких энергий (под заказ)
задач регистрации высоких энергий (под заказ)
Алюминий
7,5 кг
1024 х 512, размер пикселя 400 х 800 мкм, 30 к/с
1024 х 256, размер пикселя 400 х 400 мкм, 50 к/с
1024 x 128, размер пикселя 400 х 400 мкм, 100 к/c
1024 х 256, размер пикселя 400 х 400 мкм, 50 к/с
1024 x 128, размер пикселя 400 х 400 мкм, 100 к/c
1024 х 512, размер пикселя 400 х 400 мкм, 30 к/с
1024 х 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 15 к/с
512 х 512, размер пикселя 800 х 800 мкм, 30 к/с
512 х 512, размер пикселя 800 х 800 мкм, 30 к/с
16 бит
8 х 128 настраиваемых каналов ASIC с низким
шумом с 6 настраиваемыми режимами усиления
шумом с 6 настраиваемыми режимами усиления
400 мкм
1024 х 1024
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Частотно-контрастная характеристика MTF, X‑Ray
Квантовая эффективность регистрации DQE
Интерфейсы передачи данных
Защита детектора
Материал корпуса
< 8% (первый кадр)
Лаг
Вес
Режим регистрации
(секционный)
(секционный)
Режим регистрации (прямоугольная площадь)
Режим регистрации
(квадратная площадь)
(квадратная площадь)
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 3025
50-60 Гц, 100-240 В
25 Вт
от + 10 °C до + 40 °C
< 8% при первом кадре
20 – 225 кВ, XRD 3025N-G22
20 – 450 кВ, XRD 3025N-G22 с внешним экранированием
20 – 450 кВ, XRD 3025N-G22 с внешним экранированием
> 77 дБ
1 цикл/мм, 80 % (CsI), 77 % (Gadox)
3 цикл/мм, 45 % (CsI), 22 % (Gadox)
5 цикл/мм, 23 % (CsI), 10 % (Gadox)
3 цикл/мм, 45 % (CsI), 22 % (Gadox)
5 цикл/мм, 23 % (CsI), 10 % (Gadox)
Gigabit Ethernet
Оптоволоконная пластина из углеродных
волокон или алюминиевая пластина (толщина 1 мм)
волокон или алюминиевая пластина (толщина 1 мм)
XRD 3025N-G22 10 кг
XRD 3025N-G45 16 кг
XRD 3025N-G45 16 кг
Матрица 3008х2512, пиксель 100х100 мкм, 5,5 к/с
Матрица 1504х1256, пиксель 200х200 мкм, 11 к/с
Матрица 752х628, пиксель 400х400 мкм, 20 к/с
Матрица 1504х1256, пиксель 200х200 мкм, 11 к/с
Матрица 752х628, пиксель 400х400 мкм, 20 к/с
16 бит
Низкошумовые ASIC с настраиваемыми режимами усиления
300 х 250 мм
100 мкм
3008 х 2512
Осажденный CsI:Tl с различными GOS экранами
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
Лаг
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Частотно-контрастная характеристика MTF
Интерфейсы передачи данных
Защита детектора
Вес
Режим регистрации
Усиления каналов передачи данных
Размер активной области
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRD 4343CT
50-60 Гц, 100-240 В
25 Вт
от + 10 °C до + 35 °C
> 87 дБ
66% (1 цикл/мм), 34% (2 цикл/мм), 18% (3 цикл/мм)
76% (0 цикл/мм), 60% (1 цикл/мм), 44% (2 цикл/мм) для RQA5
Коррекция пикселей в реальном времени
(смещение, усиление, дефектные пиксели) на плате PCIe
(смещение, усиление, дефектные пиксели) на плате PCIe
Плата для обработки изображения PCIe,
полученная через оптоволокно
полученная через оптоволокно
Оптоволоконная пластина из углеродных волокон
Алюминий
16 кг
Матрица 2880х480, шаг пикселя 150 мкм, 60 к/с
Матрица 1440х240, шаг пикселя 300 мкм, 85 к/с
Матрица 1440х240, шаг пикселя 300 мкм, 85 к/с
Матрица 2880х1440, шаг пикселя 150 мкм, 25 к/с
Матрица 1440х720, шаг пикселя 300 мкм, 50 к/с
Матрица 1440х720, шаг пикселя 300 мкм, 50 к/с
Матрица 1440х1440, шаг пикселя 150 мкм, 25 к/с
Матрица 736х720, шаг пикселя 300 мкм, 50 к/с
Матрица 480х480, шаг пикселя 450 мкм, 70 к/с
Матрица 736х720, шаг пикселя 300 мкм, 50 к/с
Матрица 480х480, шаг пикселя 450 мкм, 70 к/с
Матрица 1920х1920, шаг пикселя 150 мкм, 20 к/с
Матрица 960х960, шаг пикселя 300 мкм, 40 к/с
Матрица 640х640, шаг пикселя 450 мкм, 60 к/с
Матрица 960х960, шаг пикселя 300 мкм, 40 к/с
Матрица 640х640, шаг пикселя 450 мкм, 60 к/с
Матрица 2880х2880, шаг пикселя 150 мкм, 15 к/с
Матрица 1440х1440, шаг пикселя 300 мкм, 30 к/с
Матрица 960х960, шаг пикселя 450 мкм, 45 к/с
Матрица 1440х1440, шаг пикселя 300 мкм, 30 к/с
Матрица 960х960, шаг пикселя 450 мкм, 45 к/с
1024 х 1024, размер пикселя 400 х 400 мкм, 15 к/с
512 х 512, размер пикселя 800 х 800 мкм, 30 к/с
512 х 512, размер пикселя 800 х 800 мкм, 30 к/с
16 бит
432 х 432 мм
Низкошумные ASIC каналы с 6
настраиваемыми режимами усиления
настраиваемыми режимами усиления
150 мкм
2880 x 2880
Осажденный CsI или Gadox
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рассеиваемая мощность
Рабочая температура
20 – 225 кВ (микрофокус), детектор требует
дополнительного внешнего экранирования
дополнительного внешнего экранирования
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Динамический диапазон
Частотно-контрастная характеристика MTF, X‑Ray
Квантовая эффективность регистрации DQE
Запись изображения
Интерфейсы передачи данных
Защита детектора
Материал корпуса
< 5% при первом кадре
Лаг
Вес
Режим регистрации (активная область 432х72 мм)
Режим регистрации (активная область 216х216 мм)
Режим регистрации (активная область 436х216 мм)
Режим регистрации (активная область 288х288 мм)
Режим регистрации (активная область 432х432 мм)
Режим регистрации
(квадратная площадь)
(квадратная площадь)
Размер активной области
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Преобразующий экран
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRpad 4343 F
50-60 Гц, 100-240 В
от + 10 °C до + 35 °C
20 – 150 кВ
5 циклов/мм
56% (1 цикл/мм), 25% (2 цикл/мм), 5% (4 цикл/мм)
70% (1 цикл/мм), 40% (2 цикл/мм), 15% (4 цикл/мм)
35% (0 цикл/мм), 25% (1 цикл/мм), 8% (3 цикл/мм)
75% (0 цикл/мм), 60% (1 цикл/мм), 40% (3 цикл/мм)
Gigabit Ethernet
Интегрированная оптоволоконная
пластина из углеродных волокон
пластина из углеродных волокон
Алюминий
4,1 кг
43 х 43 см
1 Гб DDR3, 4/8 Гб SDHC
600 мс
16 бит
432 х 432 мм
Низкошумовые ASIC с настраиваемыми режимами усиления
100 мкм
4318 х 4320
Осажденный CsI:Tl, XRpad 4343 F
Gadox с высокой эффективностью, XRpad 4343 F-N
Gadox с высоким разрешением, XRpad 4343 F-J
Gadox с высокой эффективностью, XRpad 4343 F-N
Gadox с высоким разрешением, XRpad 4343 F-J
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Размеры кассеты
Встроенная память
Время передачи изображения
Аналого-цифровой преобразователь
Питание
Рабочая температура
Рабочий диапазон энергий рентгеновского излучения
Предельное разрешение
Типовая частотно-контрастная
характеристика MTF, X‑Ray, при XRpad 4343 F-N (Gadox)
характеристика MTF, X‑Ray, при XRpad 4343 F-N (Gadox)
Типовая частотно-контрастная
характеристика MTF, X‑Ray, при XRpad 4343 F (CsI)
характеристика MTF, X‑Ray, при XRpad 4343 F (CsI)
Типовая квантовая эффективность
регистрации DQE, при XRpad 4343 F-N (Gadox)
регистрации DQE, при XRpad 4343 F-N (Gadox)
Типовая квантовая эффективность
регистрации DQE, при XRpad 4343 F (CsI)
регистрации DQE, при XRpad 4343 F (CsI)
Интерфейсы передачи данных
Защита детектора
Материал корпуса
Вес
Размер активной области
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Конверсионный экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRpad2 3025
Внешнее зарядное устройство
с двумя разъемами, 100 – 240 В, 50-60 Гц
с двумя разъемами, 100 – 240 В, 50-60 Гц
11.1 В, аккумуляторная
от + 10 °C до + 35 °C
5 цикл/мм
70% (1 цикл/мм), 40% (2 цикл/мм), 15% (4 цикл/мм) при RQA5
75% (0 цикл/мм), 60% (1 цикл/мм), 40% (3 цикл/мм) при RQA5
Интегрированная оптоволоконная пластина из углеродных волокон
Алюминий
1,8 кг
297,6 х 248 мм
16 бит
1 Гб DDR3, 8 Гб SDHC
300 мс (по проводу), 2000 мс (беспроводная)
Низкошумовые ASIC с настраиваемыми режимами усиления
100 мкм
3004 х 2508
Осажденный CsI или Gadox
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Встроенная память
Время передачи изображения
Размер активной области
Аналого-цифровой преобразователь
Зарядное устройство
Батарея
Рабочая температура
Предварительный просмотр 4-х фото
Хранение изображений с маркировкой
Смещение, усиление и дефектный пиксель
10 к/с при разрешении 200 мкм
Быстрый просмотр
Хранение на встроенной памяти
Корректировки на плате
Режим последовательного переключения
Предельное разрешение
Типовая частотно-контрастная характеристика MTF, при (CsI)
Типовая квантовая эффективность регистрации DQE, (CsI)
Защита детектора
Материал корпуса
GigE, триггер и питание через контактный разъем
802.11n Wi-Fi, 5 ГГц
OLED дисплей с Wi-Fi, LAN, индикатор батареи и сенсора
Проводной интерфейс
Беспроводной интерфейс
Беспроводной интерфейс
Индикатор состояния
Вес
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Преобразующий экран
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRpad2 4336
Внешнее зарядное устройство
с двумя разъемами, 100 – 240 В, 50-60 Гц
с двумя разъемами, 100 – 240 В, 50-60 Гц
11.1 В, аккумуляторная
от + 10 °C до + 35 °C
5 цикл/мм
70% (1 цикл/мм), 40% (2 цикл/мм), 15% (4 цикл/мм) при RQA5
75% (0 цикл/мм), 60% (1 цикл/мм), 40% (3 цикл/мм) при RQA5
Интегрированная оптоволоконная пластина из углеродных волокон
Алюминий
3,2 кг
426 х 350 мм
16 бит
1 Гб DDR3, 8 Гб SDHC
400 мс (по проводу), 3000 мс (беспроводная)
Низкошумовые ASIC с настраиваемыми режимами усиления
100 мкм
4288 х 3524
Осажденный CsI или Gadox
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Встроенная память
Время передачи изображения
Размер активной области
Аналого-цифровой преобразователь
Зарядное устройство
Батарея
Рабочая температура
Предварительный просмотр 4-х фото
Хранение изображений с маркировкой
Смещение, усиление и дефектный пиксель
8 к/с при разрешении 200 мкм
Быстрый просмотр
Хранение на встроенной памяти
Корректировки на плате
Режим последовательного переключения
Предельное разрешение
Типовая частотно-контрастная характеристика MTF, при (CsI)
Типовая квантовая эффективность регистрации DQE, (CsI)
Защита детектора
Материал корпуса
GigE, триггер и питание через контактный разъем
802.11n Wi-Fi, 5 ГГц
OLED дисплей с Wi-Fi, LAN, индикатор батареи и сенсора
Проводной интерфейс
Беспроводной интерфейс
Беспроводной интерфейс
Индикатор состояния
Вес
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Преобразующий экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
Плоскопанельный детектор XRpad2 4343
Внешнее зарядное устройство
с двумя разъемами, 100 – 240 В, 50-60 Гц
с двумя разъемами, 100 – 240 В, 50-60 Гц
11.1 В, аккумуляторная
от + 10 °C до + 35 °C
5 цикл/мм
65% (1 цикл/мм), 35% (2 цикл/мм), 10% (4 цикл/мм) при RQA5
75% (0 цикл/мм), 60% (1 цикл/мм), 40% (3 цикл/мм) при RQA5
Интегрированная оптоволоконная пластина из углеродных волокон
Алюминий
3,8 кг
426 х 426 мм
16 бит
1 Гб DDR3, 8 Гб SDHC
600 мс (по проводу), 3600 мс (беспроводная)
Низкошумовые ASIC с настраиваемыми режимами усиления
100 мкм
4288 х 4288
Осажденный CsI или Gadox
Активная TFT-диодная матрица с однослойным аморфным кремнием
Встроенная память
Время передачи изображения
Размер активной области
Аналого-цифровой преобразователь
Зарядное устройство
Батарея
Рабочая температура
Предварительный просмотр 4-х фото
Хранение изображений с маркировкой
Смещение, усиление и дефектный пиксель
8 к/с при разрешении 200 мкм
Быстрый просмотр
Хранение на встроенной памяти
Корректировки на плате
Режим последовательного переключения
Предельное разрешение
Типовая частотно-контрастная характеристика MTF, при (CsI)
Типовая квантовая эффективность регистрации DQE, (CsI)
Защита детектора
Материал корпуса
GigE, триггер и питание через контактный разъем
802.11n Wi-Fi, 5 ГГц
OLED дисплей с Wi-Fi, LAN, индикатор батареи и сенсора
Проводной интерфейс
Беспроводной интерфейс
Беспроводной интерфейс
Индикатор состояния
Вес
Усиления каналов передачи данных
Шаг пикселя
Количество пикселей матрицы
Преобразующий экран (сцинтиллятор)
Сенсор
Технические характеристики модели
